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SIA421DJ-T1-GE3中文资料

SIA421DJ-T1-GE3图片

SIA421DJ-T1-GE3外观图

  • 大小:204KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  • 特色产品:Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:950pF @ 15V
  • 功率 - 最大:19W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK? SC-70-6
  • 供应商设备封装:PowerPAK? SC-70-6 单
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SIA421DJ-T1-GE3TR

SIA421DJ-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-06 20:08:26
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